銀燒結技術(shù)也被成為低溫連接技術(shù)，是最為適合于寬禁半導體模塊封裝的界面連接技術(shù)之一，是碳化硅模塊封裝中的關(guān)鍵技術(shù)，也是目前應用最為廣泛的技術(shù)。

碳化硅芯片可在300℃以上穩定工作，預計模塊結溫將達到175-200℃。傳統功率模塊中，芯片通過(guò)軟釬焊接到基板上，連接界面一般為兩相或三相合金系統，在溫度變化過(guò)程中，連接界面通過(guò)形成金屬化合物層使芯片、軟釬焊料合金及基板之間形成互聯(lián)。
 
目前電子封裝中常用的軟釬焊料為含鉛釬料或無(wú)鉛釬料，其熔點(diǎn)基本在300℃以下，采用軟釬焊工藝的功率模塊結溫一般低于150℃，當應用于溫度為175-200℃甚至200℃以上的情況時(shí)，其連接層性能會(huì )急劇退化，影響模塊工作的可靠性。根據RoHS指令要求，由于鉛具有毒性，會(huì )對環(huán)境和人體健康產(chǎn)生危害，已在電子產(chǎn)品中禁止使用含鉛釬料。
 
銀燒結技術(shù)也被成為低溫連接技術(shù)，是最為適合于寬禁半導體模塊封裝的界面連接技術(shù)之一，是碳化硅模塊封裝中的關(guān)鍵技術(shù)，也是目前應用最為廣泛的技術(shù)。與傳統連接方式相比，銀燒結技術(shù)具有以下幾方面的優(yōu)勢：燒結連接層成分為銀，具有優(yōu)異的導電和導熱性能；由于銀的熔點(diǎn)高達961℃，將不會(huì )產(chǎn)生熔點(diǎn)小于300℃的軟釬焊連接層中出現的典型疲勞效應，具有極高的可靠性；所用燒結材料具有和傳統軟釬焊料相近的燒結溫度；燒結料不含鉛，屬于環(huán)境友好型材料。
 
根據新思界產(chǎn)業(yè)研究中心公布的《2018-2022年全球銀燒結技術(shù)發(fā)展現狀與投資機遇》報告顯示，芯片與基板的耐高溫、低成本連接技術(shù)和可靠性的問(wèn)題是目前第三代半導體材料模塊封裝的關(guān)鍵技術(shù)。

我國第三代半導體模塊耐高溫連接技術(shù)以高溫無(wú)鉛釬料封裝連接為主，主要的釬料有鋅基高溫釬料、金基高溫釬料、Bi-Ag基釬料和Sn-Sb基釬料。高溫無(wú)鉛釬料雖然制備工藝簡(jiǎn)單，適應性強，但連接溫度高于使用溫度，熱穩定性差，同時(shí)高溫釬料的工藝特性（潤濕性）與力學(xué)性能（強度）、物理性能（導熱性與導電性）、熱穩定性難以兼顧。國內使用高溫無(wú)鉛釬料主要為SnAg(96.5:3.5)和SnAgCu(96.5:3:0.5)，熔點(diǎn)為221℃和217℃。

國內通過(guò)提高釬料本身的耐高溫能力來(lái)提升釬焊接頭的耐溫能力，從而解決高溫功率器件封裝問(wèn)題是困難的，目前國內開(kāi)發(fā)的高溫無(wú)鉛釬料使用溫度均不超過(guò)350℃，這與新一代功率芯片所能達到的工作溫度500-1000℃相比差距較大。
 
國外研究的第三代半導體連接技術(shù)有銀低溫燒結連接技術(shù)、固液互擴散連接（SLD）和瞬時(shí)液相燒結連接（TLPS），其中銀燒結技術(shù)是目前國外第三代半導體封裝技術(shù)中發(fā)展最為成熟、應用最為廣泛的技術(shù)，美國、日本等碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)均采用此技術(shù)。與高溫無(wú)鉛釬料相比，銀燒結技術(shù)燒結連接層成分為銀，具有優(yōu)異的導電和導熱性能，由于銀的熔點(diǎn)高達961℃，將不會(huì )產(chǎn)生熔點(diǎn)小于300℃的軟釬焊連層中出現的典型疲勞效應，具有極高的可靠性，且其燒結溫度和傳統軟釬焊料溫度相當。
 
相比焊接模塊，銀燒結技術(shù)對模組結構、使用壽命、散熱產(chǎn)生了重要影響，采用銀燒結技術(shù)可使模塊使用壽命提高5-10倍，燒結層厚度較焊接層厚度薄60-70%，熱傳導率提升3倍，國外廠(chǎng)商把銀燒結技術(shù)作為第三代半導體封裝的核心技術(shù)，銀燒結技術(shù)成為芯片與基板之間連接的不二選擇，同時(shí)在此基礎上開(kāi)發(fā)出雙面銀燒結技術(shù)，將銀帶燒結在芯片正面代替了鋁線(xiàn)，或取消底板將基板直接燒結在散熱器上，大大簡(jiǎn)化了模塊封裝的結構。
 
新思界產(chǎn)業(yè)研究員認為，國外銀燒結技術(shù)已經(jīng)由微米銀燒結進(jìn)入納米銀燒結階段，納米銀燒結與微米銀燒結技術(shù)相比連接溫度和輔助壓力均有明顯下降，極大擴大了工藝的使用范圍。在銀燒結技術(shù)中，為了防止氧化和提高氧化層的可靠性，需要在基板裸銅表面先鍍鎳再鍍金或鍍銀，同時(shí)燒結溫度控制和壓力控制也是影響模組質(zhì)量的關(guān)鍵因素。

銀燒結技術(shù)在國外發(fā)展遇到的主要問(wèn)題是：銀燒結技術(shù)所用的銀漿成本遠高于焊膏，銀漿成本隨著(zhù)銀顆粒尺寸的減小而增加，同時(shí)基板銅層的貴金屬鍍層也增加了成本；銀燒結技術(shù)需要一定的輔助壓力，高輔助壓力易造成芯片的損傷；銀燒結預熱、燒結整個(gè)過(guò)程長(cháng)達60分鐘以上，生產(chǎn)效率較低；銀燒結技術(shù)得到的連接層，其內部空洞一般在微米或者亞微米級別，目前尚無(wú)有效的檢測方法。

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